该设备主要用于硫化镉合成工艺使用。
◆ 单管水平式
1、采用人机界面及PLC进行集中控制;
2、由人机界面设定系统工作参数。如主要参数:化料温度、恒温
温度、调压模块输出百分比、化料时间、恒温时间、报警设定等。
3、在人机界面上可对系统进行实时监测,其主要监测项目有:每
个加热环的工作温度、加热时间、故障状态指标、历史数据等。
◆ 控温精度:0.1℃并带室温补偿。
◆ 工作温度:硫段炉温区:260-350℃;镉段炉温区:700-850℃;
缓冲段温区:1100℃;合成段温区:1050-1100℃
◆ 控温精度:硫段炉:±2℃ 镉段炉:±1℃ 缓冲段炉:±0.5℃
◆ 合成段炉:±0.5℃
◆ 升温速率(室温〜1200℃ ):斜变升温速率在0〜15℃/分可控。
◆ 降温速率(1200℃〜500℃ ) :0〜5℃/分。
◆ 最大升温功率:约20KVA