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硫化镉合成炉-01.jpg

该设备主要用于硫化镉合成工艺使用。


◆ 单管水平式

   1、采用人机界面及PLC进行集中控制;

   2、由人机界面设定系统工作参数。如主要参数:化料温度、恒温

   温度、调压模块输出百分比、化料时间、恒温时间、报警设定等。

   3、在人机界面上可对系统进行实时监测,其主要监测项目有:每

   个加热环的工作温度、加热时间、故障状态指标、历史数据等。

◆ 控温精度:0.1℃并带室温补偿。

◆ 工作温度:硫段炉温区:260-350℃;镉段炉温区:700-850℃;

   缓冲段温区:1100℃;合成段温区:1050-1100℃

◆ 控温精度:硫段炉:±2℃  镉段炉:±1℃  缓冲段炉:±0.5℃

◆ 合成段炉:±0.5℃

◆ 升温速率(室温〜1200℃ ):斜变升温速率在0〜15℃/分可控。

◆ 降温速率(1200℃〜500℃ ) :0〜5℃/分。

◆ 最大升温功率:约20KVA


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