该设备主要用于硫化镉合成工艺使用。

◆ 单管水平式

   1、采用人机界面及PLC进行集中控制；

   2、由人机界面设定系统工作参数。如主要参数：化料温度、恒温

   温度、调压模块输出百分比、化料时间、恒温时间、报警设定等。

   3、在人机界面上可对系统进行实时监测，其主要监测项目有：每

   个加热环的工作温度、加热时间、故障状态指标、历史数据等。

◆ 控温精度：0.1℃并带室温补偿。

◆ 工作温度：硫段炉温区：260-350℃；镉段炉温区：700-850℃；

   缓冲段温区：1100℃；合成段温区：1050-1100℃

◆ 控温精度：硫段炉：±2℃  镉段炉：±1℃  缓冲段炉：±0.5℃

◆ 合成段炉：±0.5℃

◆ 升温速率(室温〜1200℃ )：斜变升温速率在0〜15℃/分可控。

◆ 降温速率(1200℃〜500℃ ) ：0〜5℃/分。

◆ 最大升温功率：约20KVA